很多人不了解為什么無塵室要對濕度的要求這么高，必須得在這個范圍內，超出或者低于都不行，這就有點太強勢了對吧，其實有這個要求也是對我們的一種負責。下面中凈環境為大家介紹。

濕度是無塵室運行全過程中一個常見的自然環境操縱標準。半導體材料凈化室中相對性濕度的總體目標bai值大概操縱在30至50%的范疇內，容許出現偏差的原因在±1%的狹小的范疇內，比如光刻技術區──或是在遠紫外光解決（DUV）區乃至更小──而在別的地區則能夠釋放壓力到±5%的范疇內。由于相對性濕度有一系列很有可能使凈化室整體主要表現降低的要素，在其中包含：病菌生長發育；工作員覺得室內溫度舒服的范疇；出現靜電作用；電化學腐蝕；水蒸氣冷疑；光刻技術的衰退；吸水能力。

病菌和別的生物入侵(黃曲霉菌，病原體，細菌，滿蟲)在相對性濕度超出60%的自然環境中能夠活躍性地繁育。一些有益菌在相對性濕度超出30%時就可以提高。而相對性濕度處在40%至60%的范疇中間時，能夠使病菌的危害及其上呼吸道感染降至最少。因此 凈化室相對性濕度要操縱在一定范疇。

對濕度在40%至60%的范疇一樣也是人們覺得舒服的適當范疇。假如凈化室濕度過過高讓人感覺憋悶，而濕度小于30%則會令人覺得干躁，皮膚皸裂，呼吸系統不適感及其感情上的不悅，進而危害工作中。

當相對性濕度超出50%時，靜電作用剛開始快速消退，可是當相對性濕度低于30%時，他們能夠在導體和絕緣體或是未接地裝置的表層上不斷存有較長一段時間。凈化室相對性濕度在35%到40%中間能夠做為一個比較滿意的最合適的，半導體材料凈化室一般都應用附加的操縱設備以限定靜電作用的累積。

在高的相對性濕度自然環境下，因為水份的消化吸收，使烤制循環系統后光刻技術澎漲加劇。光刻技術粘合力一樣還可以遭受較高的相對性濕度的不良影響；較低的相對性濕度(約30%)使光刻技術粘附更為非常容易，乃至不用匯聚改性材料，如六羥基二硅氮烷(HMDS)。

許多 化學變化的速率，包含浸蝕全過程，將伴隨著相對性濕度的提高而加速。一些金屬材料，比如鋁，能夠與水產生一層維護型的金屬氧化物，并阻攔進一步的氧化還原反應；另一種金屬材料，比如氯化銅，不是具備維護工作能力的。在高濕度的自然環境中，銅質表層更非常容易遭受浸蝕。

以上就是深圳中凈環境為大家帶來的“無塵室濕度有要求的原因”，希望能對您有所幫助。其實很好理解，不管是我們自己還是設備，如果長時間處在濕潤或者干燥的環境中，都會不怎么習慣的。

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